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漆膜薄膜介質(zhì)耗因數(shù)測試儀
簡要描述:漆膜薄膜介質(zhì)耗因數(shù)測試儀注意事項: 1、該儀器初始的包裝材料需小心保存,安裝需由本公司的專業(yè)技術(shù)人員進(jìn)行操作。2、若儀器由于任何原因必須返修,必須將其裝入原紙箱中以防運(yùn)輸途中損壞。3、在開機(jī)前,操作者要首先熟悉操作方法。
更新時間:2024-07-14
產(chǎn)品型號:GDAT-A
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問量:864
品牌 | 北廣精儀 | 價格區(qū)間 | 1萬-2萬 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,農(nóng)業(yè),文體,能源,建材 |
漆膜薄膜介質(zhì)耗因數(shù)測試儀
電性能檢測儀器:介電強(qiáng)度測試儀、體積表面電阻率測試儀、介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀、漏電起痕試驗儀、耐電弧試驗儀;
塑料橡膠性能檢測儀器:無轉(zhuǎn)子硫化儀、門尼粘度試驗機(jī)、熱變形維卡溫度測定儀、簡支梁沖擊試驗機(jī)、毛細(xì)管流變儀、橡膠塑料滑動摩擦試驗機(jī)
物理性能檢測儀器:氧指數(shù)測定儀、水平垂直燃燒試驗機(jī)、熔體流動速率測定儀、低溫脆性測試儀
力學(xué)性能試驗機(jī):試驗機(jī)
北廣其他檢測海綿儀器:海綿泡沫壓陷硬度測試儀、海綿泡沫落球回彈測試儀、海綿泡沫壓縮變形試驗儀
另外我公司有:環(huán)境測試儀器、生物制藥測試儀器、動物行為測試儀、環(huán)境監(jiān)測試驗儀
漆膜薄膜介質(zhì)耗因數(shù)測試儀
在使用中,本電橋頂A,B對V點(diǎn)的電高不超過11V,R3橋臂各盤的電流不超過下列規(guī)定:
Rg平衡指零儀內(nèi)阻約1500 歐姆(Ω)
當(dāng)電橋在平衡時,A,B,S三點(diǎn)電位必然相等,從而達(dá)到自動跟蹤的目的。
導(dǎo)線之間電容.此電容承受跨接測量臂兩端的電壓這樣會引人一個通常使tans的測量精度限于
在較高的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電,電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強(qiáng)度無關(guān)
±1.5% tgδx±0.0001
主電容調(diào)節(jié)范圍:18~220pF
屏 蔽 能很 好地起到防護(hù)高壓邊影響的作用,但是增加了屏蔽與接到測量臂接線端 M和N的各根
同時也有效的抑制了電壓波動對平衡所帶來的影響。在指零部分,采用了指針式電表指示,視覺直觀,分辨清楚,克服了以往振動式檢流計的缺點(diǎn)。
介損損耗tgδ
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低。低頻電橋概述
測量范圍
當(dāng) 電橋 平 衡時,復(fù)電抗Z、和ZM之間的比值等于電壓矢量U 和U:間的比值。如果電壓矢量的比
致的,這個保護(hù)對于Ch來說是*的。
其他
0.1%數(shù)量級的誤差,當(dāng)電容cx和Cw不平衡時尤為顯著。
C4橋臂在基本量程時,與R4橋臂并聯(lián),測量數(shù)值為正損耗因數(shù)。
它在橋頂B處取一輸入電壓,通過放大后,在內(nèi)屏蔽(S)產(chǎn)生一個與B電位相等的電壓。
介損損耗tgδ
技術(shù)參數(shù):
電感測量范圍:4.5nH~7.9mH
Q值測量
Q值測量范圍:2~1023。
Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
標(biāo)稱誤差
頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):
固有誤差:≤5%±滿度值的2% 固有誤差:≤6%±滿度值的2%
工作誤差:≤7%±滿度值的2% 工作誤差:≤8%±滿度值的2%
Q合格指示預(yù)置功能: 預(yù)置范圍:5~1000。
信號源頻率覆蓋范圍
頻率范圍CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,
CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,
其他
電容量Cx
電容測量:1~205
低頻電橋
這 種 電 橋的原理比西林電橋簡單。其結(jié)構(gòu)原理見圖A.3 .
±0.5% Cx±3pF
主電容調(diào)節(jié)范圍:18~220pF
電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平穩(wěn)衡的分辨程度,為保證測量準(zhǔn) 在下面的計算公式中,用戶可根據(jù)實際情況估算出電橋靈敏度水平,在這個水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。
采用典型的西林電橋線路。
0.1%數(shù)量級的誤差,當(dāng)電容cx和Cw不平衡時尤為顯著。
導(dǎo)線之間電容.此電容承受跨接測量臂兩端的電壓這樣會引人一個通常使tans的測量精度限于
準(zhǔn)確度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%
介損損耗tgδ
消耗功率:約25W;
±0.5% Cx±3pF
準(zhǔn)確度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%
測量誤差
電容測量:1~205
Cx和C}上,使電壓分配不平衡上面給出的電橋平衡條件只是當(dāng)?shù)蛪涸Ω邏涸帘螘r才成
A.1. 2. 2 帶瓦格納(Wagner)接地電路的西林電橋圖 A. 2 示出了使電橋測量臂接線端與屏蔽電位相等的方法。這種方法是通過使用外接橋臂Z, .Z.(瓦格納接地電路),并使這兩個橋臂的中間點(diǎn)P接到屏蔽并接地。調(diào)節(jié)橋臂(實際為Zu)以使在Z,和Z上的電壓分別與電橋的電容臂和測量臂兩端的電壓相等顯然,這個解決方法包括兩個橋即主橋AMNB和輔橋AMPB(或ANPB)同時平衡。通過檢測器從一個橋轉(zhuǎn)換到另一個橋逐次地逼衡而終達(dá)到二者平衡用這種方法精度可以提高一個數(shù)量級,這時,實際上該精度只決定于電橋元件的精密度。必 須 指 出,只有當(dāng)電源的兩端可以對地絕緣時才使用上述特殊的解決方法。如果不可能對地絕緣,則使用更復(fù)雜的裝置(雙屏蔽電橋)
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